Apacer:Cartões CV110-SD e CV110-MSD lançados em todo o mundo

A Apacer apresenta os cartões CV110-SD e CV110-MSD, que apresentam tamanho compacto, alto desempenho, alta segurança, alta confiabilidade, baixo consumo de energia e ampla compatibilidade. Eles suportam capacidades de até 256 GB. Os produtos são compatíveis com leitores de cartão que executam até a versão 6.1 do cartão SD, mas também são compatíveis com as versões 3.0 e 2.0. Eles são totalmente compatíveis com as especificações da SD Card Association, incluindo Physical Layer Specification versão 6.1 e Security Specification versão 4.0.

Os cartões CV110-SD e CV110-MSD vêm com uma interface de 9 pinos / 8 pinos projetada para operar a uma frequência operacional máxima de 208 MHz. Eles podem alternar protocolos de comunicação entre o modo SD e o modo SPI. E eles realizam detecção e correção de erros de dados, mantendo um consumo de energia muito baixo. As características competitivas dos produtos os tornam ideais para aplicações portáteis com firmware customizado, como os setores de saúde, transporte, embarcados e IPC. À medida que os produtos 5G e IoT se tornam mais maduros, os cartões CV110-SD e CV110-MSD se adequarão à maioria das implantações em tecnologia de computação de ponta.

Ao construir produtos como os cartões CV110-SD e CV110-MSD, a Apacer continua a usar apenas CIs Toshiba, que oferecem um número total impressionante de ciclos P / E (3.000) e operação de suporte em temperaturas entre -40 e 85 ° C.

O algoritmo DataRAID da Apacer aplica um nível adicional de proteção e verificação de erros. Usando este algoritmo, uma certa quantidade de espaço é dada para agregar e salvar novamente os dados de paridade existentes usados ​​para verificação de erros. Portanto, no caso de os dados serem corrompidos, os dados de paridade podem ser comparados aos dados não corrompidos existentes e o conteúdo dos dados corrompidos pode ser reconstruído.

A atualização de leitura inteligente da Apacer desempenha um papel proativo em evitar a ocorrência de erros de perturbação de leitura para garantir o status de integridade de todos os blocos de flash NAND. Desenvolvido para aplicativos de leitura intensiva em particular, Smart Read Refresh ™ é empregado para garantir que durante as operações de leitura, quando o limite da operação de leitura for atingido, os dados sejam atualizados, reescrevendo-os em um bloco diferente para uso subsequente.