Datasheet do MOSFET 2N7002 – Especificações, Características e Aplicações

Transistores são essenciais em circuitos eletrônicos. Focamos no 2N7002 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) — um MOSFET N-channel de nível lógico. Possui baixa corrente, tensão e capacitância de entrada, sendo crucial em aplicações de gerenciamento de potência.

Descrição Resumida do 2N7002

MOSFET N-channel com gate de nível lógico, útil para reduzir resistência em estado ON. Tensão de limiar gate-source (Vth) baixa: 2,1 V típica — ideal para circuitos de 3,3 V. Alta performance de chaveamento. Comum em aplicações compactas.

Configuração de Pinos

(MOSFET mostrando source, gate e drain)

Características Principais

• MOSFET N-channel com R_DS(on) < 5 Ω (baixa resistência em ON).
• Tensão Drain-Source (V_DS): 60 V.
• Corrente de drain contínua (I_D): 200 mA.
• Tensão de limiar do gate (V_GS(th)): mín 1 V, máx 3 V.
• Tempo de desligamento (t_off): 8 ns; Tempo de ligamento (t_on): 15 ns.

(Corrente em função da tensão de gate em MOSFET N-channel típico)

Alternativas ao 2N7002

Três substitutos comuns (N-channel): NTR4003, FDC666, FDC558.

Equivalentes P-Channel

Dois MOSFETs P-channel equivalentes: BSS84 e FDN358P.

Outros MOSFETs N-Channel

• BS170N, IRF3205, 2N7000, IRF1010E, IRF540N.

(Estrutura típica de MOSFETs N-Channel)

Aplicações

• Chaveamento de baixa tensão e baixa corrente.
• Conversores DC-DC.
• Gerenciamento de potência (power management).
• Sistemas com baixa resistência em estado ON.
• Aplicações de mobilidade (ex: veículos elétricos).

(Carro elétrico carregando — aplicação de mobilidade)

Conclusão

O MOSFET 2N7002 é um N-channel de pinagem simples, perfeito para gerenciamento de potência e sistemas com baixa R_DS(on).

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