Winbond Lança Memória NAND 2Gb+2Gb e LPDDR4x para Modems 5G CPE

A Winbond Electronics revelou o W71NW20KK1KW, solução compacta de memória dual-die 1,8 V que funde 2 Gb de SLC NAND Flash com 2 Gb de LPDDR4x DRAM em encapsulamento multi-chip (MCP) de 8,0 × 9,5 × 0,8 mm com 149 bolas BGA.

Otimizado para 5G CPE Estático

Projetado especificamente para modems 5G Customer Premises Equipment (CPE), o W71NW20KK1KW entrega o equilíbrio ideal de endurance, velocidade e eficiência energética requeridos para deployments 5G estáticos.

Unidades CPE 5G estáticas tipicamente operam confortavelmente com 2 Gb de NAND e 2 Gb de DRAM, tornando o W71NW20KK1KW solução ideal e custo-efetiva que consolida ambos tipos de memória em único encapsulamento BGA 149-ball.

Benefícios de Integração

Ao simplificar o stack de memória, fabricantes podem reduzir espaço na placa, baixar contagem de componentes e cortar custos de produção — acelerando o rollout do 5G como alternativa viável a cobre ou xDSL óptico na última milha.

Especificações NAND

O core SLC NAND oferece endurance e integridade de dados excepcionais; page size de 2 KB + 128 B permite uso de ECC de até 8-bit enquanto o dispositivo requer apenas ECC 4-bit para operação confiável.

Com interface 8-bit wide e blocos de 64 pages, o die NAND atinge tempo máximo de leitura de page de 25 µs e tempo típico de programação de page de 250 µs, garantindo acesso rápido a dados para workloads 5G exigentes.

O W71NW20KK1KW exemplifica o compromisso da Winbond em entregar soluções de memória high-performance, low-cost que capacitam deployments broadband de próxima geração.