Winbond:produto de memória 2Gb + 2Gb NAND e LPDDR4x para modems 5G CPE

A Winbond Electronics anunciou o lançamento de um novo produto de memória 1.8V 2Gb + 2Gb NAND Flash e LPDDR4x em um compacto pacote multi-chip (MCP) de 8,0 x 9,5 x 0,8 mm.

O novo produto W71NW20KK1KW, que combina NAND Flash de célula de nível único (SLC) robusto e memória LPDDR4x de alta velocidade e baixo consumo de energia, oferece capacidade de memória suficiente para modems celulares 5G destinados ao uso como equipamento de instalações do cliente (CPE) em residências e escritórios.

Embora os modems 5G móveis normalmente exijam densidades de memória maiores, os modems CPE 5G estáticos podem operar perfeitamente com capacidades de memória de 2 Gb NAND / 2 Gb DRAM. Ao oferecer esta combinação de memória em um único pacote compacto, o W71NW20KK1KW do Winbond permite que os fabricantes de modems 5G atendam aos requisitos do sistema de unidades CPE com os menores custos de produção e materiais possíveis.

Espera-se que a introdução de uma nova geração de unidades CPE 5G com custo otimizado incorporando o W71NW20KK1KW ajudará a acelerar a adoção de 5G pelo consumidor como uma alternativa para cobre de linha fixa ou links xDSL ópticos na última milha de redes de banda larga de alta velocidade .

O W71NW20KK1KW é um MCP BGA de 149 esferas que consiste em um dado SLC NAND Flash de 2 Gb e um dado de DRAM LPDDR4x de 2 Gb. O robusto SLC NAND Flash oferece excelentes especificações de resistência e alta integridade de dados. O SLC NAND requer apenas ECC de 4 bits para atingir alta integridade de dados, mas o tamanho de página de 2 KB + 128B do dispositivo fornece espaço suficiente para o uso de ECC de 8 bits.

O W71NW20KK1KW possui um barramento de 8 bits e é organizado em blocos de 64 páginas. As especificações de desempenho da matriz NAND incluem um tempo máximo de leitura de página de 25 µs e um tempo de programa de página típico de 250 µs.