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Microchip Apresenta Boosters PoE de 90W para Dispositivos Legados e IEEE sem Trocar Switches

Microchip Apresenta Boosters PoE de 90W para Dispositivos Legados e IEEE sem Trocar Switches

A Microchip introduziu um conjunto de dispositivos de aumento de potência PoE que permitem que tanto Dispositivos Alimentados (PDs) pré-padrão quanto compatíveis com IEEE extraiam até 90W sem substituir switches ou cabeamento existentes. Esta solução simplifica a implantação de injetores e midspans IEEE 802.3bt-2018 para usuários e fornece aos desenvolvedores chipsets PSE totalmente interoperáveis.

Ponte entre Legado e Novo Padrão

À medida que a indústria avança para a última geração de PoE, os usuários precisam integrar PDs legados com novas unidades compatíveis com IEEE sem mudanças custosas na infraestrutura. O novo chipset da Microchip preenche essa lacuna, permitindo a coexistência perfeita de PDs pré-padrão e IEEE 802.3bt-2018.

Contexto Histórico

Antes de 2018, muitos fornecedores ofereciam soluções proprietárias como Universal PoE (UPOE) e Power over HDBaseT (PoH), que atendiam às demandas de maior potência de dispositivos de dois e quatro pares, como quiosques, terminais POS, thin clients, pontos de acesso Wi-Fi, small cells, equipamentos de smart building, automação industrial e iluminação LED. A Microchip há muito fornece um chipset PSE para o padrão PoH de quatro pares e 95W; agora é a primeira a entregar um chipset IEEE 802.3af/at/bt que permite switches legados alimentarem novos dispositivos IEEE 802.3bt-2018.

Injetores e Midspans PoE

Chipset PSE e PDs Suportados

Disponibilidade e Recursos

A família PSE IEEE 802.3bt-2018 da Microchip está disponível em volume, incluindo os gerenciadores PD69208M, PD69204T4, PD69208T4 e o controlador PoE PD69210. O retificador dual MOSFET-bridge PD70224 IdealBridge também é vendido. Recursos de design – placas de avaliação, application notes, firmware, software GUI e documentação de protocolo – estão disponíveis para download. Injetores e midspans serão enviados em novembro de 2019.

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