SRAM Ultra-Baixa Potência da SureCore Reduz Consumo de Memória em 50% para Wearables e SoCs IoT

IP de SRAM embarcado para designs de ultra-baixa potência

O IP de SRAM embarcado da SureCore é projetado para designs system-on-chip (SoC) que alimentam wearables e dispositivos IoT, onde cada miliwatt conta.

Sediada em Sheffield, Inglaterra, a SureCore busca engenheiros sêniores de design de memória com pelo menos uma década de experiência para avançar suas soluções SRAM de próxima geração.

Segundo a empresa, seu IP de SRAM proprietário pode reduzir consumo de energia de memória em até 50% — um número crítico quando memória off-the-shelf pode consumir até metade do orçamento de energia de um wearable.

Memória embarcada tornou-se pedra angular de SoCs modernos, permitindo múltiplos processadores rodarem uma ampla gama de aplicações. No entanto, SRAM historicamente tem sido um dreno de energia, tornando-a pouco atraente para wearables e dispositivos IoT que demandam ultra-baixa potência e alta confiabilidade.

A SureCore enfrenta esse desafio cortando tanto potência dinâmica quanto estática com um conjunto de técnicas avançadas de circuito. Sua tecnologia EverOn comprovada em silício, por exemplo, empurra operação próxima à tensão de limiar — limitada apenas pela tensão de retenção da bit-cell. Para tensões ainda menores, o MiniMiser Register File rastreia dinamicamente a tensão mínima de alimentação lógica, garantindo uso ótimo de energia quando a demanda de computação é baixa.

Além de IP, a SureCore oferece serviço de design de memória personalizado e portfólio de plataformas de referência IoT ultra-baixa potência que mostram suas tecnologias de memória em contextos reais.

À medida que a inteligência artificial continua a demandar memórias on-chip maiores, empresas que empurram os limites do SRAM convencional — como a SureCore — estão preparadas para entregar a próxima onda de soluções eficientes e de alto desempenho.

Interessado em se juntar a esta equipe de ponta? Veja vagas atuais aqui.

> Este artigo foi originalmente publicado em nosso site irmão, EDN.