Transistores de Perovskita de Alto Desempenho Agora Imprimíveis: Avanço da POSTECH

Uma equipe de pesquisa da Universidade de Ciência e Tecnologia de Pohang (POSTECH) melhorou o desempenho de um transistor semicondutor tipo-p usando perovskita de haleto metálico inorgânico. Uma das maiores vantagens da nova tecnologia é que ela permite transistores de perovskita processados em solução serem simplesmente impressos como circuitos semicondutores.

Transistores baseados em perovskita controlam a corrente combinando semicondutores tipo-p que exibem mobilidades de lacunas com semicondutores tipo-n. Comparado aos semicondutores tipo-n que têm sido ativamente estudados até agora, fabricar semicondutores tipo-p de alto desempenho tem sido um desafio.

Muitos pesquisadores tentaram utilizar perovskita em semicondutores tipo-p por sua excelente condutividade elétrica, mas seu pobre desempenho elétrico e reprodutibilidade têm dificultado a comercialização.

Para superar esta questão, os pesquisadores usaram o haleto metálico inorgânico modificado: triiodeto de césio-estanho (CsSnI3), para desenvolver o semicondutor de perovskita tipo-p e fabricaram o transistor de alto desempenho baseado neste. O transistor exibe alta mobilidade de lacunas de 50cm²V⁻¹s⁻¹ e mais e uma razão de corrente ligado/desligado de mais de 10⁸. Este é o desempenho mais alto registrado entre os transistores de semicondutor de perovskita que foram desenvolvidos até agora.

Ao transformar o material em uma solução, os pesquisadores conseguiram simplesmente imprimir o transistor semicondutor tipo-p como se estivesse imprimindo um documento. Como este método não é apenas conveniente mas também custo-efetivo, pode levar à comercialização de dispositivos de perovskita no futuro.

"O novo material semicondutor e transistor desenvolvidos podem ser amplamente aplicáveis para circuitos lógicos em displays de alta qualidade e em dispositivos eletrônicos vestíveis. Eles também podem ser usados em circuitos eletrônicos empilhados e dispositivos optoeletrônicos empilhando-os verticalmente com semicondutores de silício," explicou o Professor Yong-Young Noh.