ergFET: Sensor de Estado Sólido Avançado da NASA para Detecção de Campos Elétricos e Caracterização de Materiais
ergFET: Sensor de Estado Sólido Avançado da NASA para Detecção de Campos Elétricos e Caracterização de Materiais
O Centro de Pesquisa Langley da NASA desenvolveu um circuito integrado de estado sólido baseado em um transistor de efeito de campo (FET). Chamado ergFET, o sensor caracteriza as propriedades eletrônicas de materiais, permitindo detecção de itens como bagagens, fiação e líquidos, e pode até ser usado para imagem médica, como ECG remoto.
Este transistor de efeito de campo de porta de reversão de equilíbrio (ergFET) implanta um eletrodo próximo à porta do transistor para controlar e reverter correntes de vazamento típicas em transistores e que podem levar a erros de medição. Pode ser construído em um array para permitir imagem de maior resolução e é um dispositivo de estado sólido livre de partes móveis. Isso permite designs de sensores portáteis e de mão.
A NASA está ativamente buscando licenciados para comercializar esta tecnologia. Por favor, contate o Concierge de Licenciamento da NASA em Este endereço de email está sendo protegido de spambots. Você precisa de JavaScript habilitado para visualizá-lo. ou ligue para 202-358-7432 para iniciar discussões de licenciamento. Siga este link aqui para mais informações.
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