Renesas:embalado em plástico, controlador PWM tolerante à radiação e driver GaN FET para smallsats

A Renesas Electronics anunciou o primeiro controlador PWM embalado em plástico e tolerante à radiação e driver FET de nitreto de gálio para fontes de alimentação DC / DC em pequenos satélites (pequenos satélites) e veículos de lançamento da indústria espacial. O controlador PWM de modo de corrente de terminação única ISL71043M e o driver FET GaN ISL71040M do lado baixo são ideais para estágios de energia flyback e meia ponte isolados e circuitos de driver de controle de motor em barramentos de satélite e cargas úteis. Empresas privadas de ‘novo espaço’ começaram a lançar smallsats para formar grandes constelações operando em vários aviões de órbita terrestre baixa (LEO). As megaconstelações Smallsat fornecem links globais de banda larga à Internet, bem como imagens de observação da Terra em alta resolução para rastreamento de ativos marítimos, aéreos e terrestres.

O controlador ISL71043M PWM fornece propagação rápida de sinal e comutação de saída em um pequeno pacote de plástico SOIC de 4 mm x 5 mm, reduzindo a área do PCB em até 3x em comparação com os pacotes de cerâmica da concorrência. Além disso, a corrente de alimentação máxima de 5,5 mA do ISL71043 reduz a perda de energia em mais de 3x e sua frequência de operação ajustável - até 1 MHz - permite maior eficiência e o uso de componentes de filtro passivos menores. O ISL71043M e o ISL71040M são testados para caracterização em um total ionizante (TID) de até 30krads (Si) e para efeitos de evento único (SEE) em uma transferência de energia linear (LET) de 43MeV • cm2 / mg. Ambos os dispositivos operam em uma faixa de temperatura estendida de -55 a + 125 ° C.

O driver de GaN FET ISL71040M de lado baixo conduz com segurança os FETs GaN rad-hard da Renesas em topologias isoladas e configurações de tipo de reforço. O ISL71040M opera com uma tensão de alimentação entre 4,5 V e 13,2 V, uma tensão de acionamento de porta (VDRV) de 4,5 V e inclui entradas inversoras e não inversoras. As saídas divididas do dispositivo ajustam as velocidades de ligar e desligar, e sua fonte de alta corrente e capacidade de dissipação permitem a operação de alta frequência. O ISL71040M garante uma operação confiável ao conduzir FETs de GaN, controlando com precisão a tensão do driver do gate para + 3 / -5% acima da temperatura e radiação. Ele também inclui circuitos de proteção flutuantes para eliminar a comutação não intencional.