Renesas Revela Primeiro Controlador PWM e Driver GaN FET Rad-Hard em Plástico para Sistemas de Potência SmallSat
A Renesas Electronics introduziu o primeiro controlador PWM tolerante à radiação e driver GaN FET em encapsulamento plástico da indústria espacial, adaptados para fontes de alimentação DC/DC em pequenos satélites (smallsats) e veículos de lançamento. O controlador PWM single-ended current-mode ISL71043M e o driver GaN FET low-side ISL71040M se destacam em estágios de potência flyback isolado, half-bridge e circuitos de driver de controle de motor dentro de barramentos e payloads de satélites.
Contexto New Space
Empresas privadas "new space" estão implantando grandes constelações de smallsats através de múltiplos planos de low Earth orbit (LEO), entregando links de banda larga globais e imagem de observação da Terra de alta resolução para rastreamento de ativos mar, ar e terra. Componentes da Renesas suportam estas missões ambiciosas combinando compacidade, resiliência e eficiência.
ISL71043M PWM Controller
- Pacote plástico SOIC 4 mm × 5 mm — reduz área PCB em até 3x versus equivalentes cerâmicos
- Corrente de suprimento máxima 5.5 mA — reduz perda de potência em mais de 3x
- Frequência ajustável até 1 MHz — permite maior eficiência e filtros passivos menores
- Testado à radiação para dose ionizante total de 30 krad(Si) e single-event effects a 43 MeV·cm²/mg LET
- Opera confiavelmente de -55°C a +125°C
ISL71040M GaN FET Driver
- Drive FETs GaN rad-hard da Renesas em topologias isoladas e boost
- Faixa de tensão de suprimento 4.5 V–13.2 V, tensão de gate drive (VDRV) de 4.5 V
- Entradas inversora e não-inversora com saídas split para ajustar velocidades turn-on/turn-off
- Capacidade high current source/sink suporta operação high-frequency
- Mantém tensão de gate drive dentro de +3% / -5% através de temperatura e exposição à radiação
- Circuitaria de proteção flutuante embutida previne chaveamento não intencional
Estes componentes entregam vantagem decisiva para missões espaciais exigindo eletrônica de potência compacta, baixa potência e tolerante à radiação.
Integrado
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