Introdução aos transistores de efeito de campo de porta isolada
Conforme declarado no capítulo anterior, existe mais de um tipo de transistor de efeito de campo. O transistor de efeito de campo de junção, ou JFET, usa a voltagem aplicada através de uma junção PN polarizada reversamente para controlar a largura da região de depleção dessa junção, que então controla a condutividade de um canal semicondutor através do qual a corrente controlada se move. Outro tipo de dispositivo de efeito de campo - o transistor de efeito de campo de porta isolada, ou IGFET - explora um princípio semelhante de uma região de depleção controlando a condutividade através de um canal de semicondutor, mas difere principalmente do JFET por não haver conexão direta entre o portão de chumbo e o próprio material semicondutor. Em vez disso, o condutor da porta é isolado do corpo do transistor por uma barreira fina, daí o termo porta isolada. Essa barreira isolante atua como a camada dielétrica de um capacitor e permite que a tensão porta-fonte influencie a região de depleção eletrostaticamente, em vez de por conexão direta.
Além da opção de design de canal N versus canal P, os IGFETs vêm em dois tipos principais:aprimoramento e esgotamento. O tipo de esgotamento está mais relacionado ao JFET, portanto, começaremos nosso estudo de IGFETs com ele.
PLANILHA RELACIONADA:
- Planilha de transistores de efeito de campo de porta isolada
Tecnologia industrial
- Introdução ao Verilog
- Introdução aos Circuitos DC
- Introdução aos circuitos CA
- Introdução aos circuitos de semicondutores discretos
- Introdução aos circuitos integrados analógicos
- Introdução ao SPICE
- Introdução à Álgebra Booleana
- Introdução ao mapeamento de Karnaugh
- Introdução aos tubos de elétrons
- Introdução aos harmônicos:parte 1