Samsung Revela Empacotamento H‑Cube 2.5D, Suportando Integração de 6 HBM para HPC e IA

A Samsung Electronics revelou a tecnologia de substrato híbrido H‑Cube — uma plataforma de empacotamento 2.5D projetada para semicondutores de alto desempenho em HPC, IA, data center e redes que exigem área extensa e desempenho superior.

Co-desenvolvida pela Samsung Electro‑Mechanics (SEMCO) e Amkor Technology, a H‑Cube atende à necessidade de integração em larga escala de dies de silício. A Samsung afirma que o novo pacote expande o ecossistema de foundry, oferecendo uma gama de soluções para atender às demandas em evolução dos clientes.

"No ambiente atual onde a integração de sistemas é cada vez mais necessária e o fornecimento de substratos é restrito, a Samsung Foundry e a Amkor Technology co-desenvolveram com sucesso a H‑Cube para superar esses desafios", disse JinYoung Kim, vice-presidente sênior de P&D global na Amkor Technology. "Este desenvolvimento reduz barreiras de entrada no mercado HPC/IA e demonstra colaboração e parceria bem-sucedidas entre a foundry e a empresa de montagem e teste de semicondutores terceirizada (OSAT)."

Estrutura e Características da H‑Cube

O empacotamento 2.5D coloca chips lógicos ou memória de alta largura de banda (HBM) sobre um interposer de silício em uma pegada compacta. A H‑Cube da Samsung combina um interposer de passo fino capaz de conexões fine-bump com um substrato de interconexão de alta densidade (HDI), permitindo pacotes 2.5D de grande escala.

À medida que cargas de trabalho de HPC, IA e redes exigem especificações mais altas, o empacotamento de grande área torna-se essencial quando o número e tamanho de chips por pacote crescem ou quando interconexões de alta largura de banda são necessárias. Substratos de passo fino são indispensáveis para anexar dies de silício, mas seu custo aumenta acentuadamente com a área aumentada.

Ao integrar seis ou mais HBMs, a fabricação de substratos de grande área torna-se cada vez mais desafiadora, reduzindo rendimento e eficiência. A Samsung abordou isso adotando uma arquitetura de substrato híbrido que coloca uma base HDI facilmente escalável sob um interposer fine-pitch de alta qualidade.

Ao reduzir o passo das esferas de solda em 35% em comparação ao passo convencional, a pegada do substrato fine-pitch encolhe, enquanto a camada HDI subjacente garante conectividade robusta à placa do sistema.

Para reforçar ainda mais a confiabilidade, a Samsung aplicou sua análise proprietária de integridade de sinal e potência, garantindo entrega estável de energia e minimizando perda ou distorção de sinal ao empilhar múltiplos chips lógicos e HBMs.