IBM e Samsung Pioneiram Semicondutor Ultraeficiente Cortando Consumo em 85%

A IBM e a Samsung Electronics revelaram um design inovador de semicondutor que pode reduzir o consumo de energia em 85% comparado aos chips mais avançados atuais.

O avanço permite uma série de novas aplicações — desde mineração de criptomoedas e criptografia de dados energeticamente eficientes até baterias móveis que podem durar mais de uma semana sem recarga — segundo as empresas.

Esses chips também podem alimentar uma gama de dispositivos IoT e de borda que consomem menos energia, permitindo operação em ambientes diversos como bóias oceânicas, veículos autônomos e espaçonaves.

O que diferencia este design é o uso de transistores de efeito de campo de transporte vertical (VTFETs) que ficam perpendiculares à superfície do chip, permitindo que a corrente flua verticalmente em vez de lateralmente. Em chips convencionais, os transistores ficam planos e conduzem lateralmente.

"O processo VTFET aborda muitas barreiras de desempenho e estende a Lei de Moore ao permitir maior fluxo de corrente com menos energia desperdiçada", explicaram Brent Anderson, Arquiteto e Gerente de Programa VTFET, e Hemanth Jagannathan, Tecnólogo de Hardware VTFET e Membro Principal da Equipe de Pesquisa.

Ao relaxar restrições físicas no comprimento do gate do transistor, espessura do espaçador e tamanho do contato, VTFETs podem ser otimizados para desempenho ou consumo de energia, disseram os pesquisadores.

"A Lei de Moore está se aproximando de barreiras aparentemente intransponíveis", observou a equipe. "Ao focar em uma nova dimensão, a inovação VTFET oferece um caminho para continuar a tendência de escalar transistores em área fixa."

A Intel também anunciou planos de explorar empilhamento vertical de chips como estratégia para acompanhar a Lei de Moore.

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