Circuitos Supercondutores de Dupla Face em Wafers de Silício Ultrafinos: Solução Compacta e Baixo Crosstalk

Uma nova metodologia de fabricação atende à necessidade de uma placa de circuito fina, de dupla face, capaz de baixo crosstalk entre sensores e baixa perda em linhas de transmissão.

O método de fabricação permite que um wafer de silício minimalista seja usado como placa de circuito enquanto reduz espaço e aumenta eficiência depositando material supercondutor em ambos os lados. Devido à natureza fina do wafer de silício, um wafer de suporte adicional é necessário durante a fabricação deste circuito para permitir deposição de filme fino de metal em um substrato quente em um lado do wafer. Além disso, uma camada sacrificial metálica e polimérica é usada para proteger o substrato de silício e camadas metálicas supercondutoras durante remoção de silício indesejado, óxido enterrado e camadas de epóxi.

Este processo introduz a metodologia de fabricação necessária para realizar linhas de transmissão de perda ultra-baixa e crosstalk ultra-baixo entre sensores supercondutores.

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