Por causa de suas portas isoladas, IGFETs de todos os tipos têm ganho de corrente extremamente alto:não pode haver corrente de porta sustentada se não houver circuito de porta contínua no qual a corrente possa fluir continuamente. A única corrente que vemos através do terminal de porta de um IGFET,

Os transistores de efeito de campo de porta isolada são dispositivos unipolares como os JFETs:ou seja, a corrente controlada não precisa cruzar uma junção PN. Há uma junção PN dentro do transistor, mas seu único propósito é fornecer aquela região de depleção não condutora que é usada para restringir

Conforme declarado no capítulo anterior, existe mais de um tipo de transistor de efeito de campo. O transistor de efeito de campo de junção, ou JFET, usa a voltagem aplicada através de uma junção PN polarizada reversamente para controlar a largura da região de depleção dessa junção, que então contro

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JFETs, como transistores bipolares, são capazes de “estrangular” a corrente em um modo entre o corte e a saturação chamado ativo modo. Para entender melhor a operação JFET, vamos configurar uma simulação SPICE semelhante à usada para explorar a função básica do transistor bipolar: Simulação Spice

Testar um JFET com um multímetro pode parecer uma tarefa relativamente fácil, visto que ele tem apenas uma junção PN para testar:medido entre a porta e a fonte ou entre a porta e o dreno. Teste de continuidade de um JFET de canal N Testar a continuidade através do canal da fonte de drenage