home Tecnologia de manufatura Equipamentos de Fabricação
Manufaturação industrial
Internet das coisas industrial | Materiais industriais | Manutenção e reparo de equipamentos | Programação industrial |
home  MfgRobots >> Manufaturação industrial >  >> Industrial materials >> Nanomateriais

Os fotodetectores baseados em heterojunções de monocamada lateral MoS2 / WS2

Resumo


Os dichalcogenetos de metais de transição de monocamada (TMDs) mostram um potencial promissor para a optoeletrônica de próxima geração devido às excelentes capacidades de captura de luz e fotodetecção. Fotodetectores, como componentes importantes dos sistemas de detecção, imagem e comunicação, são capazes de perceber e converter sinais ópticos em sinais elétricos. Aqui, a monocamada lateral de grande área e alta qualidade MoS 2 / WS 2 heterojunções foram sintetizadas através da abordagem de deposição química de vapor em fase líquida de uma etapa. Medições de caracterização sistemática verificaram boa uniformidade e interfaces nítidas dos materiais do canal. Como resultado, os fotodetectores aprimorados pelo efeito de fotografia podem oferecer desempenho competitivo, incluindo responsividade de ~ 567,6 A / W e detectividade de ~ 7,17 × 10 11 Jones. Além disso, o ruído 1 / f obtido a partir do espectro de potência da corrente não é condutivo ao desenvolvimento de fotodetectores, o qual é considerado proveniente do aprisionamento / destrapping do portador de carga. Portanto, este trabalho pode contribuir para dispositivos optoeletrônicos eficientes baseados em heteroestruturas de DTM de monocamada lateral.

Introdução


Considerando o mercado de chips semicondutores de quase meio trilhão de dólares, os materiais bidimensionais (2D) são atualmente um dos candidatos mais viáveis ​​e promissores para estender a lei de Moore [1,2,3,4,5]. Como um membro representativo da família 2D, os dichalcogenetos de metais de transição (TMDs) têm sido intensamente estudados devido às suas propriedades optoeletrônicas distintas e aplicações potenciais [6,7,8,9,10,11,12] em fotodetecção e dispositivos emissores de luz [13, 14]. Notavelmente, o bandgap sintonizável, alta mobilidade da portadora, alta absorção óptica e espessura atomicamente fina, tornando os TMDs materiais de canal apropriados para fotodetectores, desempenham um papel crucial em dispositivos optoeletrônicos ou eletrônicos [15, 16]. Embora defeitos de cristal em TMDs que dão origem ao efeito de captura de portadores possam resultar em alta fotossensibilidade, eles podem inevitavelmente levar a uma velocidade de resposta lenta [17]. Além disso, alguns pesquisadores propõem o realce plasmônico para aumentar a utilização limitada de luz de materiais 2D [18,19,20]. Combinando as respectivas superioridades e mostrando transporte eletrônico único na junção, heteroestruturas TMDs ou costura lateral ou empilhamento vertical são apresentadas [21]. Tais heteroestruturas podem ajustar propriedades eletrônicas intrínsecas e melhorar a absorção óptica [22], apresentando características emergentes e projetáveis ​​[13, 23]. Por exemplo, o campo elétrico embutido [24] ou a diferença de nível de energia [25] induzida por heteroestruturas TMD deve acelerar a separação de fototransportadores [26], suprimir a recombinação de fototransportadores [17, 27] e reduzir a corrente escura [28] também, o que é benéfico para obter fotodetecção de alto desempenho. Além disso, o grupo de Wang [29] certificou a recombinação elétron-buraco (e-h) suprimida em heteroestruturas laterais. Como relatado anteriormente, as heteroestruturas laterais mostraram maior mobilidade de portadores [30], enquanto as heteroestruturas verticais geralmente aumentaram a área fotoativa [27] e / ou impulsionaram a corrente por área [31]. Além disso, as interfaces no plano das heteroestruturas laterais mostraram maior intensidade de emissão do que ambos os lados [14]. No entanto, a emissão suprimida de fotoluminescência (PL) pode ser observada na hetero-interface vertical devido à reduzida recombinação radiativa direta [32]. Além disso, as heteroestruturas DTM laterais e verticais possibilitam a criação de novas transições excitônicas [14].

Em termos de qualidade de rede cristalina, MoX 2 / WX 2 (X =S, Se ou Te) heterojunções laterais podem induzir defeitos estruturais dificilmente devido à sua configuração semelhante a favo de mel [33, 34] e parâmetros de rede [34]. Além disso, este tipo de heterojunção pode formar o alinhamento de banda do tipo II em geral, o que é desejável para fotodetecção de alta eficiência [32, 34, 35]. De acordo com o trabalho anterior, monocamada lateral MoS 2 / WS 2 heterojunção preferida para exibir alinhamento de banda do tipo II com a banda de valência máxima (VBM) localizada em WS 2 e a banda de condução mínima (CBM) no MoS 2 [32, 34]. Por exemplo, o grupo de Wu relatou ainda que o VBM e o CBM do MoS 2 são 0,39 eV e 0,35 eV mais baixos do que WS 2 , respectivamente [34]. Além disso, o deslocamento de banda entre MoS 2 e WS 2 determinar o alinhamento da banda pode ser estimado através de suas diferentes posições orbitais d de Mo e W [34]. Heteroestruturas verticais podem ser preparadas por transferência mecânica e empilhamento, enquanto as laterais só podem ser obtidas por métodos de crescimento [14]. Além disso, heteroestruturas verticais, como relatado anteriormente, não podem ser um controle preciso e são facilmente contaminadas nas interfaces entre as camadas [33]. Felizmente, as heteroestruturas laterais podem ser sintetizadas pelo método de uma etapa para reduzir contaminações [28]. Atualmente, o crescimento de heteroestruturas de TMDs em monocamada lateral de grande área e alta qualidade tem permanecido um grande desafio [36]. Portanto, heterojunções de TMDs laterais de alta qualidade e grandes áreas são significativas e desejadas para o desenvolvimento de fotodetectores de alto desempenho.

Aqui, a monocamada lateral MoS 2 / WS 2 heterojunções com interfaces nítidas e boa uniformidade através do método CVD de fase líquida de uma etapa são preparadas e fotodetectores são fabricados com base nessas heteroestruturas. Os fotodetectores apresentados podem fornecer alta responsividade e detectividade de 567,6 A / W e 7,17 × 10 11 Jones, respectivamente. Este trabalho demonstra a monocamada lateral MoS 2 / WS 2 heterojunções podem servir como candidatos qualificados para aplicações optoeletrônicas de próxima geração.

Métodos

Síntese da heteroestrutura


0,05 g de tungstato de sódio, 0,5 g de molibdato de amônio e 0,12 g de partículas de NaOH (ou KOH) foram dissolvidos em 10 mL de água desionizada (DI) para obter a solução precursora. Os substratos de crescimento (safira) foram tratados com solução de piranha para melhorar a hidrofilicidade da superfície e, em seguida, a solução precursora foi uniformemente revestida por rotação em substratos de safira limpos. Depois disso, o precursor coberto de safira e enxofre foram colocados na central de aquecimento e a montante de um tubo de quartzo, respectivamente. O centro de aquecimento foi aumentado para 700 ° C em 40 min e mantido por 10 min para aumentar o MoS 2 -OH bicamadas (ou seja, MoS 2 monocamada e uma única camada de OH - íons anexados). Finalmente, o gás de arraste foi alterado de Ar para Ar / H 2 (5% H 2 ), e a central de aquecimento aquecida a 780 ° C em 10 min e mantida por 10 min para permitir WS 2 crescer ao longo das bordas do MoS 2 –OH bicamadas, formando MoS 2 / WS 2 heteroestruturas laterais. Os mais detalhes da síntese da heteroestrutura referem-se ao trabalho anterior [30].

Processo de transferência


Usamos o método auxiliado por poliestireno (PS) para transferir WS 2 / MoS 2 heteroestruturas laterais de safira a SiO 2 Substratos / Si. A solução de PS (9 g de PS foram dissolvidos em 100 mL de tolueno) é primeiro revestida por rotação nas heteroestruturas com 3500 rpm por 60 s, então a amostra é cozida a 90 ° C por 10 min para eliminar o tolueno. Depois disso, o WS 2 / MoS 2 –PS filme é obtido por uma gota de água, e o flutuante WS 2 / MoS 2 O filme –PS é então dragado com um SiO 2 limpo Substrato / Si. O WS 2 / MoS 2 –PS-SiO 2 / A amostra de Si é cozida a 80 ° C por 1 he depois a 150 ° C por 30 min para espalhar o polímero e eliminar possíveis rugas. Finalmente, o filme PS é removido enxaguando com tolueno várias vezes para obter WS 2 / MoS 2 -SiO 2 Amostras de / Si.

Fabricação de dispositivos


A litografia de feixe de elétrons padrão (EBL) foi usada para definir os marcadores e padrões de eletrodo na monocamada lateral conforme cresceu MoS 2 / WS 2 heterojunções. Os eletrodos Ti / Au (10 nm / 100 nm) foram evaporados no canal e retirados em acetona. O dispositivo foi recozido termicamente a 400 ° C por 2 h em vácuo e resfriado até a temperatura ambiente rapidamente.

Caracterização do material


As imagens ópticas foram capturadas com microscópio OLYMPUS (LV100ND). As imagens de mapeamento Raman, PL e AFM foram medidas com um espectrômetro confocal Raman-AFM (Witec, alpha300 RA) com um laser de 532 nm.

Caracterização do dispositivo


As propriedades optoeletrônicas dos fotodetectores foram medidas com a estação de sonda SemiProbe e um analisador de parâmetros semicondutores (Keithley 4200) e Platform Design Automation (PDA, FS-Pro). Lasers de diferentes comprimentos de onda como fontes de luz foram usados ​​para medir a fotorresposta dos fotodetectores. Diferentes densidades de laser foram determinadas com um irradiatômetro.

Resultados e discussão


A Figura 1a mostra a imagem óptica da heteroestrutura de monocamada lateral crescida em CVD, ilustrada pelo contraste óptico. Os espectros Raman correspondentes obtidos nas diferentes posições marcadas 1 e 2 na Fig. 1a confirmam a configuração do MoS interno 2 (385,5 cm −1 e 405,3 cm −1 ) e WS externo 2 (351,5 cm −1 e 416,5 cm −1 ) na Fig. 1b [30]. Alta qualidade de cristal de MoS 2 e WS 2 estão implícitos porque nenhum pico de oxidação foi observado nos espectros Raman correspondentes [37]. Especialmente, os eigen-peaks de MoS 2 e WS 2 ambos foram observados na interface costurada marcada com 3 na Fig. 1a, indicando a forma de dois materiais na interface. Além disso, a diferença de frequência entre E 2g modo e A 1g modo de MoS 2 é 19,8 cm −1 , sugerindo uma monocamada [30, 38, 39]. Ao considerar WS 2 , a taxa de intensidade de pico do modo acústico longitudinal (2LA) [40] a 352 cm −1 para A 1g modo, ou seja, I 2LA / I A1g , é mais preciso para verificar a espessura do que a diferença de frequência [14]. A proporção foi estimada em ~ 2, de acordo com a monocamada WS 2 medido por laser de 532 nm [14]. O distinto desvio para o vermelho de E 2g pode ser observado o modo (vibração no plano), resultante do efeito liga [41] nas heterojunções laterais. Notavelmente, esse comportamento semelhante também foi observado nas heterojunções verticais, causadas por blindagem dielétrica e acoplamento interlayer [42]. Além disso, o resultado do mapeamento Raman na Fig. 1c com a região azul do MoS 2 e a região vermelha do WS 2 indica a heteroestrutura perfeita no plano de alta qualidade [13, 43]. Figura 1d, e também demonstra a configuração com MoS 2 dentro e WS 2 fora por mapeamento PL, respectivamente [13]. Vários pontos mostrando intensidades de PL aprimoradas em WS 2 região pode ser explicada como a falta de homogeneidade do portador causada por impurezas ou vacâncias [14]. Além disso, as emissões de PL mais fortes na interface do que o MoS 2 região poderia ser interpretada como a distribuição não homogênea de portadores ou maior taxa de recombinação de portadores fotoinduzida nas bordas [14]. Os mapeamentos Raman e PL sugerem uma interface nítida e bem costurada entre MoS 2 e WS 2 [14, 44]. A espessura e a morfologia da superfície foram medidas por microscópio de força atômica (AFM) com modo de captura. Observe que poucos limites de grão resultando na dispersão do portador de carga [45] são observados no material dentro, mas as bordas indicam melhor desempenho de transporte elétrico, conforme mostrado na Fig. 1f [14, 46]. A espessura do WS 2 fora é ~ 0,7 nm (parte inferior) consistente com WS crescido por CVD 2 monocamada relatada anteriormente [47], e a diferença de altura entre WS 2 e MoS 2 é cerca de 0,25 nm (topo), implicando em MoS monocamada 2 [47]. No geral, os resultados da caracterização do material acima podem demonstrar a monocamada lateral MoS 2 / WS 2 heterojunção com a interface nítida.

Resultados de caracterização de material da monocamada lateral conforme cresceu MoS 2 / WS 2 heteroestrutura. ( a) A imagem óptica da monocamada lateral MoS 2 / WS 2 heterojunção. ( b) O espectro Raman obtido do local marcado com 1, 2 e 3 pol. ( a ), respectivamente. A imagem de mapeamento Raman ( c ), Imagens de mapeamento PL do MoS 2 região ( d ) e WS 2 região ( e ) da área com moldura vermelha em ( a ) A barra de cor falsa correspondente é inserida na parte inferior de ( c ) - ( e ) ( f ) O perfil de altura da seção transversal correspondente do azul (entre WS 2 e MoS 2 ) e branco (entre WS 2 e substrato) linhas marcadas na imagem de morfologia AFM

Os fotodetectores foram fabricados usando um sistema EBL baseado no MoS lateral 2 / WS 2 heterojunção. A Figura 2a exibe o diagrama esquemático (parte superior) do dispositivo de heterojunção lateral e o alinhamento da banda do tipo II correspondente (parte inferior). Consequentemente, elétrons e lacunas são transferidos e confinados no MoS 2 e WS 2 região através da interface, respectivamente, alcançando a conversão fotoelétrica [13, 21, 24, 48]. Atribuímos isso ao efeito fotogante, como um caso especial de efeito fotocondutor [49]. O efeito de fotogate pode funcionar como um fotogate local modulando a condutância do canal [50]. A imagem óptica do dispositivo com a área efetiva do dispositivo de ~ 40 μm 2 é descrito na Fig. 2b com os eletrodos E1 e E2 como os eletrodos de fonte e dreno. A fim de descobrir a configuração da heterojunção, o mapeamento Raman combinado foi realizado (Fig. 2c), indicando os materiais do canal do MoS lateral 2 / WS 2 heterojunção entre a fonte medida e os eletrodos de dreno (E1 e E2) [28]. As seções azul, vermelha e escura são MoS 2 , WS 2 e eletrodos de metal, respectivamente. A Figura 2d mostra as curvas características de saída semilogarítmica da heterojunção lateral sob luz visível com 405 nm, 520 nm e 635 nm, respectivamente. A inserção na Fig. 2d revela um I-V linear relação entre o canal e os eletrodos [51,52,53,54,55,56]. O linear eu - V caráter é propício para alcançar alta responsividade, mas baixa sensibilidade dos fotodetectores devido a uma alta corrente escura [57]. Além disso, o I ph (ou seja, eu leve - eu escuro ) do fotodetector aumenta para 12,5 vezes antes do recozimento térmico, o que pode ser atribuído à diminuição da resistência de contato [46, 58], remoção de defeitos [59] e melhor condutividade elétrica [60]. A Figura 2e mostra as características de comutação de fotos estimuladas pelos comprimentos de onda acima. A corrente transitória aumenta rapidamente quando a luz está ligada e diminui assim que a luz é desligada, o que implica que este fotodetector pode servir como um interruptor ativado por luz imediata [61].

Características optoeletrônicas do fotodetector. ( a) O diagrama esquemático e o alinhamento de banda proposto do fotodetector. A imagem ótica ( b ) e mapeamento Raman combinado correspondente ( c ) do fotodetector. E1 e E2 representam a fonte e os eletrodos de drenagem do dispositivo medido. O semilogarítmico ( d ) e linear (inserção de ( d) ) Eu - V características e as características de comutação ( e ) do fotodetector

As características de saída semilogarítmica com o mesmo comprimento de onda, mas com densidades de potência de laser variadas, são representadas na Fig. 3a. Como esperado, a fotocorrente é aumentada conforme as densidades de potência do laser aumentam devido a mais portadoras fotogeradas induzidas [62]. A Figura 3b mostra o I - V curvas com a mesma densidade de potência do laser, mas diferentes comprimentos de onda incidentes (ou seja, diferentes quantidades de absorção de luz e energia de excitação óptica). Embora o comprimento de onda mais curto possua menos fótons em comparação com o comprimento de onda mais longo na mesma densidade de potência do laser. Neste caso, a corrente transitória medida aumenta com as diminuições do comprimento de onda de irradiação. Isso pode ser causado pela absorção óptica reduzida no comprimento de onda mais longo [63, 64]. A Figura 3c descreve a corrente transiente sob iluminação a laser periódica de 10 s, indicando uma fotorresposta reproduzível estável [61]. Para a maioria dos fotodetectores de baixa dimensão dominados pelo efeito fotogatador, a velocidade de resposta limitada e a alta responsividade podem ser obtidas devido ao excesso de vida do portador prolongado [50, 65]. O tempo de subida / queda é definido como o tempo necessário para a fotocorrente subir / descer de 10% / 90% do valor estável para 90% / 10% [66, 67]. O tempo de ascensão / queda relativamente longo deve ser causado pela lenta recombinação do portador, originada da iluminação a laser que excita muitos estados defeituosos [68]. Portanto, o tempo de resposta, incluindo o tempo de subida e o tempo de queda, foi sacrificado pelo efeito de fotogação por causa dos processos de captura de carga de longa duração [57]. Alguns pesquisadores propuseram que o material do canal de alta qualidade, que pode oferecer um caminho curto e suave para a transferência da portadora e uma estrutura de dispositivo ideal, pode melhorar a velocidade de resposta [69, 70]. Na verdade, as figuras de mérito dos dispositivos fotossensíveis são principalmente de responsabilidade ( R ) e detectividade ( D *). R é calculado pelas relações de
$$ R ={{\ mathop I \ nolimits_ {ph}} \ mathord {\ left / {\ vphantom {{\ mathop I \ nolimits_ {ph}} {(P \ cdot S)}}} \ right. \ kern- \ nulldelimiterspace} {(P \ cdot S)}} $$ (1)
Comportamento de fotorresposta do fotodetector. O eu - V características sob diferentes densidades de potência do laser de 405 nm ( a ) e sob diferentes comprimentos de onda incidentes de 5 mW / cm 2 ( b ) ( c) A fotorresposta resolvida no tempo excitada pela ativação / desativação periódica da luz incidente. ( d) O R extraído (esfera preta) em função das densidades de potência do laser. A tensão aplicada para ( c - d ) é 1 V

onde P e S são a densidade de potência do laser e a área efetiva do dispositivo, respectivamente [62, 71, 72]. A Figura 3d mostra os valores correspondentes de R do fotodetector sob diferentes densidades de potência do laser. O campeão R atinge até ~ 567,6 A / W fornecendo o parâmetro de desempenho competitivo. O alto R é atribuído à supressão da recombinação do fototransportador na heteroestrutura juntamente com o aprisionamento de elétrons no MoS 2 região presumivelmente [22]. O R diminuído à medida que a densidade de potência do laser aumenta, revela ainda mais o efeito de fotodetecção no fotodetector [73].

Além disso, a fotocorrente e a densidade de potência do laser seguem a equação da lei da potência:
$$ \ mathop I \ nolimits_ {ph} =A \ mathop P \ nolimits ^ {\ alpha} $$ (2)
onde A é uma constante e 0 < α <1. O valor de α , obtido pelo ajuste da curva de I ph versus P na Fig. 4a, está relacionado ao processo de captura, recombinação e transferência de portadores [74, 75]. A relação sublinear entre I ph e P sugere ainda a presença do efeito fotogante no dispositivo [65]. O valor mais alto de α (como ~ 0,73) pode ser obtido quando as densidades de potência mais baixas são aplicadas devido à recombinação de fototransportadores reduzida e às interações entre os portadores [75, 76]. Em contraste, densidades de potência mais altas podem resultar em um valor α degradado de ~ 0,55 por causa de perdas de recombinação mais fortes e mais estados de armadilha [77]. A pré-condição do D calculado * por meio da equação
$$ \ mathop D \ nolimits ^ {*} =R \ mathop {({S \ mathord {\ left / {\ vphantom {S {2e \ mathop I \ nolimits _ {{{\ text {dark}}}}}} } \ right. \ kern- \ nulldelimiterspace} {2e \ mathop I \ nolimits _ {{{\ text {dark}}}}}})} \ nolimits ^ {{{1 \ mathord {\ left / {\ vphantom {1 2}} \ certo. \ kern- \ nulldelimiterspace} 2}}} $$ (3)
(a) O enredo de eu ph versus densidades de potência do laser. ( b) O espectro de potência atual ( S eu ) em frequências diferentes. A tensão aplicada para ( a – b ) é 1 V

é que os fotodetectores são limitados pelo ruído de disparo como a principal fonte de ruído [49, 66, 78]. A fim de avaliar melhor D * mais precisamente, a corrente de ruído obtida na Fig. 4b é medida em diferentes frequências [74]. A Figura 4b mostra o ruído 1 / f típico [79] em nossos fotodetectores, que é um impedimento significativo para a indústria de semicondutores de novos materiais. Este tipo de ruído é resultado principalmente das impurezas carregadas e locais de aprisionamento no canal condutor [57, 80]. Uma qualidade de material superior e uma densidade de defeito estrutural pequena são desejadas para reduzir o ruído 1 / f [81]. De acordo com a fórmula de
$$ \ mathop D \ nolimits ^ {*} =R {{\ mathop {(S \ Delta f)} \ nolimits ^ {{{1 \ mathord {\ left / {\ vphantom {1 2}} \ right. \ kern- \ nulldelimiterspace} 2}}}} \ mathord {\ left / {\ vphantom {{\ mathop {(S \ Delta f)} \ nolimits ^ {{{1 \ mathord {\ left / {\ vphantom {1 2}} \ certo. \ kern- \ nulldelimiterspace} 2}}}} {\ mathop I \ nolimits _ {{{\ text {noise}}}}}}} \ right. \ kern- \ nulldelimiterspace} {\ mathop I \ nolimits _ {{{\ text {noise}}}}}} $$ (4)
onde Δ f e eu ruído são largura de banda de medição e corrente de ruído [79], a detectividade do fotodetector é de cerca de 7,17 × 10 11 Jones. A Tabela 1 comparou alguns fotodetectores representativos selecionados com o desempenho de fotorresposta correspondente com base em materiais 2D. O relativamente alto R e D * de nossos fotodetectores apresentam grande potencial em dispositivos optoeletrônicos.

Conclusões


Em resumo, um fotodetector de alto desempenho foi desenvolvido com base na monocamada lateral MoS 2 / WS 2 heterojunção. O tamanho dos materiais do canal crescidos pelo método CVD de fase líquida de uma etapa atinge a escala milimétrica. Além disso, os materiais do canal de alta qualidade com boa uniformidade e interface nítida foram examinados por caracterizações sistemáticas de material e medições subsequentes do dispositivo. Particularmente, alta responsividade de 567,6 A / W e detectividade de ~ 10 11 Jones são alcançados para os fotodetectores atribuindo ao efeito fotogante. O desempenho do MoS lateral proposto 2 / WS 2 os fotodetectores de heterojunção são melhores ou comparáveis ​​ao trabalho relatado [24, 62, 76, 78, 86, 97, 98]. Além disso, supomos que o ruído 1 / f indesejado decorrente da captura / retirada de portadores de carga pode ser ainda mais reduzido por material de canal de alta qualidade e sem defeitos. O crescimento fácil de CVD em fase líquida em uma etapa e o excelente desempenho optoeletrônico dos fotodetectores podem motivar pesquisas futuras sobre dispositivos optoeletrônicos baseados em heteroestruturas laterais.

Disponibilidade de dados e materiais


Os conjuntos de dados que suportam as conclusões deste artigo estão incluídos no artigo.

Nanomateriais

  • Metal
  • Resina
  • fibra
  • Material compósito
  • Nanomateriais
  • Materiais Poliméricos
  • biológico
  • Corante
  • Especiarias
    1. Aproveitando tecnologias baseadas em IoT no canteiro de obras
    2. As propriedades elétricas de compostos híbridos baseados em nanotubos de carbono multifoliados com nanoplacas de grafite
    3. Efeito Lateral Fotovoltaico Grande em Heterojunção MoS2 / GaAs
    4. A otimização da programação de DRAM 1T sem capacitor baseada no TFET de porta dupla
    5. Desempenho de detecção de H2 altamente aprimorado de heterojunções MoS2 / SiO2 / Si de poucas camadas por decoração de superfície de nanopartículas de Pd
    6. Rumo à exploração da estrutura da monocamada para TaS2 de poucas camadas por esfoliação eficiente sem ultrassom
    7. A otimização da engenharia do espaçador para DRAM sem capacitor baseada no transistor de túnel de porta dupla
    8. Metassuperfícies plasmônicas opticamente ativas com base na hibridização de acoplamento In-Plane e Out-of-Plane Coupling
    9. Desempenho energético aprimorado com base na integração com os nanolaminados de Al / PTFE
    10. Sistema de segurança biométrica baseado no batimento cardíaco humano