Manufaturação industrial
Nanomateriais
Resumo Semicondutores de baixa dimensão exibem desempenhos notáveis em muitas aplicações de dispositivos devido às suas propriedades físicas, elétricas e ópticas únicas. Neste artigo, relatamos um método novo e fácil de sintetizar em 2 S 3 pontos quânticos (QDs) em condições de pressão atmos
Resumo Recentemente, materiais semicondutores-iônicos (SIMs) surgiram como novos materiais funcionais, que possuíam alta condutividade iônica com aplicações bem-sucedidas como eletrólito em células de combustível de óxido sólido (LT-SOFCs) avançadas de baixa temperatura. A fim de revelar o mecanis
Resumo Este estudo bibliométrico investigou as tendências públicas nos campos de nanopartículas, que se limitam à entrega de drogas e literatura sobre nanopartículas magnéticas publicada de 1980 a outubro de 2017. Os dados foram coletados do Web of Science Core Collections, e uma análise de rede d
Resumo Os efeitos de Cu + difuso em transistores de película fina (TFTs) amorfos de óxido de índio-gálio-zinco (a-IGZO) na microestrutura e desempenho durante um processo de rolha de gravação limpa (CL-ES) e um processo de gravação de canal traseiro (BCE) são investigados e comparados . A camada
Resumo Para muitos cânceres, a detecção precoce é a chave para melhorar a sobrevida e reduzir a morbidade, que está associada a ressecções radicais devido ao diagnóstico tardio. Aqui, nós descrevemos a eficiência de nanopartículas de ouro conjugadas com anticorpo primário (AuNPs) para atingir espe
Resumo Os hidróxidos de metal de transição e o composto de grafeno prometem ser a próxima geração de material de eletrodo de alto desempenho para aplicações de armazenamento de energia. Aqui, fabricamos o Cu (OH) semelhante a uma folha de cipreste 2 nanoestrutura / nanofolhas de grafeno composta
Resumo Neste estudo, desenvolvemos um método fácil para fabricar substrato de espalhamento Raman aprimorado de superfície (SERS) altamente sensível e estável, que é realizado pela combinação de co-pulverização catódica com tecnologia de deposição de camada atômica. Para realizar a preparação do su
Resumo Realizamos um estudo sistemático da influência das condições ambientais nas características de desempenho elétrico de transistores de película fina de 2,7-dioctil [1] benzotieno [3,2-b] [1] -benzotiofeno (C8-BTBT) processados em solução (TFTs). Quatro condições de exposição ambiental fora
Resumo Os arranjos de nanobastões baseados em AlGaN ultravioleta profundo (NR) foram fabricados por litografia de nanoimpressão e técnicas de gravação a seco de cima para baixo a partir de um wafer de LED totalmente estrutural. Propriedades estruturais periódicas altamente ordenadas e morfologia f
Resumo Demonstramos o efeito da capacitância negativa (NC) de HfZrO x com base em transistores de efeito de campo (FETs) nos experimentos. Melhorado I DS , SS e G m de NCFET foram alcançados em comparação com FET semicondutor de óxido de metal de controle (MOS). Neste experimento, os tra
Resumo A fotoluminescência sintonizável (PL) de pontos de carbono dopados com nitrogênio (NCDs) tem atraído muita atenção nos últimos anos, enquanto o mecanismo específico ainda está em disputa. Aqui, os NCDs com emissão amarela foram sintetizados com sucesso por meio de uma abordagem hidrotérmica
Resumo As propriedades estruturais e eletrônicas de heteroestruturas de GaN van der Waals em monocamada e bicamada azul fosforeno / grafeno-like são estudadas usando cálculos de primeiro princípio. Os resultados mostram que a heteroestrutura de GaN de fosforeno / semelhante a grafeno de azul monoc
Resumo Um novo retificador controlado de silício de alta tensão compatível com o processo CMOS (HHV-SCR) para proteção contra descarga eletrostática (ESD) é proposto e demonstrado por simulação e teste de pulso de linha de transmissão (TLP). A região de recombinação de buraco (ou elétron) recém-in
Resumo A aplicação prática das baterias de lítio / enxofre (Li / S) é dificultada pela migração de polissulfetos solúveis (Li 2 S n , 4 ≤ n ≤ 8) do cátodo para o ânodo, levando a uma estabilidade eletroquímica pobre da célula. Para resolver esse problema, no presente estudo, um TiO 2 / c
Resumo A memória não volátil (NVM) desempenhará um papel muito importante nas tecnologias digitais de próxima geração, incluindo a Internet das coisas. Os memristores de óxido metálico, especialmente baseados em HfO 2 , têm sido favorecidos por muitos pesquisadores por causa de sua estrutura sim
Resumo Para realizar engenharia de estrutura de banda viável e, portanto, maior eficiência de luminescência, InGaNBi é uma liga atraente que pode ser explorada em dispositivos fotônicos de luz visível e infravermelho médio. No presente estudo, as propriedades estruturais e eletrônicas como bandgap
Resumo Nós relatamos o crescimento de nanofios InAs livres de catalisador dopado com Te por epitaxia de feixe molecular em substratos de silício (111). Mudanças na morfologia do fio, ou seja, uma diminuição no comprimento e um aumento no diâmetro, foram observadas com o aumento do nível de dopagem
Resumo O uso predominante de nanopartículas projetadas (ENPs) aumentou nossa exposição a essas partículas. As técnicas analíticas disponíveis atualmente falham em quantificar e analisar simultaneamente as propriedades físicas dos ENPs nos tecidos biológicos. Portanto, novos métodos são necessários
Resumo O efeito do tratamento de nitretação no alinhamento da banda entre algumas camadas de MoS 2 e HfO 2 foi investigado por espectroscopia de fotoelétrons de raios-X. Os deslocamentos de banda de valência (condução) de MoS 2 / HfO 2 com e sem tratamento de nitração foram determinados co
Resumo Este estudo propõe uma nova unidade de retroiluminação (BLU) de díodo emissor de luz em escala de mini-chip com iluminação direta direta (mini-CSPLED) que usou filme de ponto quântico (QD), placa de difusão e dois filmes de prisma para melhorar a uniformidade de brilho. Três unidades de int
Nanomateriais
