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Resumo Investigamos como Cu⁺ difuso impacta a microestrutura e desempenho de transistores de filme fino (TFTs) de óxido de índio-gálio-zinco amorfo (a-IGZO) durante um processo de parada de gravação limpa (CL-ES) e um processo de gravação de canal traseiro (BCE). Espectrometria de massa de íons secu

Resumo A detecção precoce de câncer depende da identificação de sinais inflamatórios que precedem a malignidade. Avaliamos nanopartículas de ouro (AuNPs) conjugadas com anticorpos primários como agentes de contraste direcionados para inflamação crônica em modelos de colite ulcerativa (CU) e esteatoh

Resumo Hidróxidos de metais de transição combinados com grafeno estão emergindo como materiais de eletrodo de próxima geração para armazenamento de energia, oferecendo alta capacidade, excelente condutividade e vida útil de ciclagem robusta. Apresentamos aqui uma síntese facilitada, de etapa única,

Resumo Apresentamos uma abordagem simplificada para produzir um substrato de espalhamento Raman amplificado na superfície (SERS) altamente sensível e durável, integrando co-sputtering de prata (Ag) e alumínio (Al) com deposição de camadas atômicas (ALD). O processo começa com co-sputtering de Ag e A

Resumo Realizamos um estudo sistemático da influência das condições ambientais nas características de desempenho elétrico de transistores de filme fino (TFTs) de 2,7-dioctil[1]benzotieno[3,2-b][1]benzotiofeno (C8-BTBT) processados em solução. Quatro condições de exposição ambiental foram considerada

ResumoArrays de nanobastões (NR) de AlGaN profundo ultravioleta foram fabricados por litografia de nanoimpressão e técnicas de gravação seca top-down a partir de uma wafer LED totalmente estruturada. Propriedades estruturais periódicas altamente ordenadas e morfologia foram confirmadas por microscop

ResumoDemonstramos o efeito de capacitância negativa (NC) de transistores de efeito de campo (FETs) baseados em HfZrOx em experimentos. Melhorias em IDS, SS e Gm de NCFET foram alcançadas em comparação com FET MOS (metal oxide semiconductor) de controle. Neste experimento, transistores MIS de fundo

ResumoAvanços recentes em pontos de carbono dopados com nitrogênio (NCDs) destacaram sua fotoluminescência (PL) ajustável como característica promissora para sensoriamento óptico e iluminação. No entanto, o mecanismo preciso por trás da modulação de PL permanece debatido. Aqui, relatamos uma síntese

ResumoCálculos de funcional de densidade de primeiros princípios revelam que tanto heteroestruturas de van der Waals (vdW) monocamada quanto bicamada de fosforeno azul/GaN tipo grafeno são semicondutores de banda proibida indireta com alinhamento de banda tipo-II. A banda proibida (Eg) pode ser ajus

ResumoUm novo retificador controlado de silício de alta tensão de retenção (HHV-SCR) compatível com processo CMOS é apresentado, projetado para fornecer proteção superior contra descarga eletrostática (ESD). Ao integrar uma região de recombinação de lacunas (ou elétrons) (H-RR ou E-RR), o dispositiv

ResumoO uso prático de baterias lítio-enxofre é limitado pela migração de polissulfetos solúveis (Li2Sn, 4 ≤ n ≤ 8) do cátodo para o ânodo, o que compromete a estabilidade da célula. Neste estudo, fabricamos um revestimento composto de TiO2/carbono poroso (TiO2/PC) em um separador Celgard 2400, atua

Resumo 10, respectivamente.ContextoEmbora o fenômeno de resistência negativa tenha sido descoberto pela primeira vez por Hickmott em uma estrutura Al/Al₂O₃/Au em 1962 [1], e Chua propôs o conceito de memristor em 1971 [2]. Foi só quando Strukov et al. prepararam o memristor baseado em TiO₂ em 2008 [

ResumoLigas InGaNBi são promissoras para dispositivos fotônicos de próxima geração, oferecendo plataforma versátil para ajuste de banda proibida do visível ao infravermelho médio. Usando teoria de funcional de densidade de primeiros princípios, investigamos sistematicamente como concentrações de índ

ResumoRelatamos o crescimento de nanofios de InAs dopados com Te, livres de catalisador, por epitaxia de feixe molecular em substratos de silício (111). A morfologia dos fios — comprimento menor e diâmetro maior — muda progressivamente com maior concentração de Te. Microscopia eletrônica de transmis

Resumo90% de dissolução do tecido, preservando o tamanho das partículas e minimizando a ionização, superando os outros reagentes. A extensão do protocolo de NaOH a homogeneizados de coração, pulmão, baço e rim confirmou sua ampla aplicabilidade. Finalmente, aplicamos o pré-tratamento otimizado para

ResumoExaminamos como um tratamento com plasma de nitrogênio altera o alinhamento de bandas entre MoS₂ de poucas camadas e HfO₂ por espectroscopia de fotoelétrons de raios X (XPS). O deslocamento da banda de valência (VBO) e o deslocamento da banda de condução (CBO) da heterojunção MoS₂/HfO₂ foram d

ResumoApresentamos uma unidade de retroiluminação (BLU) de mini-LED de escala de chip (mini-CSPLED) de iluminação direta e alta uniformidade, que integra um filme de pontos quânticos (QD), uma placa de difusão e filmes de prisma duplo. Três mini-CSPLEDs com ângulos de emissão de 120°, 150° e 180° fo